AMD举行了AMD Analyst Day，期间披露了不少AMD及ATI未来产品及技术的发展，从CPU、GPU、芯片组、Notebook以至CE，均成为讨论的对象，彷如是AMD的Developer Forum。

    AMD的三年大计

    首先AMD提出在未来3年的发展大方向。在未来3年内，AMD会在Server市场推出8个核心处理器。针对高效能计算机，推出以GPU进行运算的Stream Computing、更先进的配套软件、扩充Torrenza(即Co-processor)计划、第一颗Core Fusion Client处理器以及平台整合Graphics IP等待。

    至于品牌方向，AMD在一段时间会维持AMD、ATI双品牌的策略，如在GPU、Intel平台芯片组的品牌会用ATI，而CPU及AMD平台芯片组的品牌则为AMD。

    AMD在未来3年会推出8核心处理器。

    AMD现时采用了AMD、ATI双品牌的策略。

    45nm将采用多项新技术

    谈到制程最新的发展，AMD表示未来的45nm制程是与IBM共同开发，并采用了Immersion lithography(沉浸光刻技术)及Ultra low-K(超低介电质技术)。沉浸光刻技术能够加强处理器在设计定义与制造方面的一致性，令AMD可以生产出更高精密度的处理器；而超低介电值的金属层间介电层，将有助加强处理器的每瓦(W)功效。

    说到新技术的先进，则不得不重提现有技术的限制。目前的制程技术包括AMD新推出的65nm制程，都是使用传统光刻技术。此项技术在65nm制程以后遭到不少限制。沉浸光刻技术使用透明液体，填满重复光刻系统步骤的投影镜头与含有数百个微处理器的晶圆间空隙；这项在光刻技术方面的进步，提升了聚焦程度并改善影像精确度，进而加强芯片层级的效能与制程效率。譬比如一个SRAM内存晶胞的效能，可藉由这项加强的制程能力提升15%，而不需依赖成本较高的双重曝光技术。

    除了沉浸光刻技术外，新的45nm制程还有多孔超低介电值介电层技术。它可以降低金属层间的电容量与导线延迟，对于进一步提升处理器效能与减少能源耗损是非常重要的步骤。与传统低介电值介电层相比，增加超低介电值的金属层间介电层可减少约15%导线相关延迟。

    未来的45nm制程将采用Immersion lithography及Ultra low-K dielectric interconnect两大技术。

    全力进军Notebook市场

    据AMD的引述市场调查机构Mercury Research的数字显示，AMD在今年第三季取得16.8%的Notebook CPU市场占有率，相当不俗。而在明年，AMD计划在Notebook市场上大展拳脚。

    Kite Refresh与Puma平台明年登场

    迎战Intel在明年推出Santa Rosa平台，AMD在明年分别会有Kite Refresh及Puma平台。Kite Refresh会采用代号为Hawk的处理器，支持DDR2 800内存，提供更长的电池使用时间。而较后推出的Puma平台，则会采用Griffin处理器，它将具备独立设计的Power Planes、Linked Power Management并降低电压，以进一步节省用电。

    另外，与Intel Santa Rosa另设Robson Cache的做法不同，Kite Refresh及Puma平台将支持Samsung及Microsoft力推的混合硬盘(Hybrid Drive)。而在Puma Notebook上AMD更会整合DirectX 10绘图核心、引入HyperTransport 3.0功能。

    AMD Kite Refresh会支持HDMI，而Puma则是ATI力推的Display Port，并有PCI-E 2.0功能。